用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上生长M面GaN和非极化GaN/InGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法在γ- LiAlO2衬底上制备非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯，分别实现非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯的蓝色、绿色电致发光，LED结构材料的室温波长分别为363 nm (FWHM: 20 nm)、414 nm (FWHM: 68 nm)、519 nm (FWHM: 70 nm)的发光峰，LED管芯的室温电致发光谱显示波长为522 nm (正向偏压: 10 V，电流: 70 mA)的发光峰
